| 型号： | IRF5851TR | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | International Rectifier | 描述： | MOSFET N+P 20V 2.7A 6-TSOP |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| IRF5851TR PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.7A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 90 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 400pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 960mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） |
| 供应商设备封装 | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装 | 带卷 (TR) |